Новости

Регистрация | Вспомнить

0

новых

0

обновить

Российские инженеры создали новый мемристор

[11.02.2020 / 19:05]

Исследователи из Университета Лобачевского создали новый вариант мемристора на основе слоистой структуры «металл - оксид - металл». Разработка найдет применение в запоминающих устройствах. Результаты работы опубликованы в журнале Advanced Materials Technologies.

Мемристоры - это устройства, которые могут изменять сопротивление в зависимости от протекавшего заряда. Наблюдающееся в мемристоре явление гистерезиса позволяет использовать его в качестве ячейки памяти. Предполагается, что в некоторых случая мемристоры смогут заменить транзисторы.

Однако массовому применению мемристивных устройств мешает недостаточная воспроизводимость их параметров. Этот разброс в структурах «металл - оксид - металл» определяется стохастической природой перемещения ионов кислорода или кислородных вакансий вблизи границы раздела металл/оксид и усложняется изменением параметров структур в случае неуправляемого кислородного обмена.

Традиционно, чтобы управлять мемристивным эффектом, ученые формируют специальные концентраторы электрического поля и подбирают структуру материалов и границ раздела в мемристоре. Но обычно при этом технологический процесс сильно усложняется и дорожает.

 

Хорошие новости России

Категории:  Новые предприятия, производства, технологии...
 
вверх